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東芝推出高光效功率白光LED

————實(shí)現業(yè)界領(lǐng)先的光通量,超過(guò)160lm
2015年02月10日

【2015年2月9日】 2月4日,東芝公司旗下的半導體&儲存產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)宣布推出新系列高光效功率白光LED,實(shí)現了業(yè)界領(lǐng)先[1]的光通量,超過(guò)160lm[2]。3.5 x 3.5mm鏡頭封裝“TL1L4系列”量產(chǎn)即日起啟動(dòng)。新推出的“TL1L4系列”在室溫下操作時(shí)可實(shí)現高達160lm/W(典型值)的光通量。在Ta=85℃的條件下,工作電流可達1A[3],光通量比東芝當前的“TL1L3系列”提高60%以上,助力LED照明應用提高光效和降低功耗。

功率白光LED“TL1L4系列”

【應用】

LED燈泡、基礎光、嵌燈、路燈和泛光燈

【新產(chǎn)品的主要特性】

使用面向LED照明開(kāi)發(fā)的硅基氮化鎵技術(shù)[4]

3.5 x 3.5mm鏡頭封裝

室溫下操作時(shí)達160~170lm高光通量。

光效:160lm/W典型值(CCT=5000K,Ra=70@ IF=350mA,Ta=25℃)

在模擬實(shí)際環(huán)境操作的條件下(IF=350mA,Tj=85℃)進(jìn)行了電氣和光學(xué)特性熱態(tài)分檔(hot binning)測試。

正向電流絕對最大值:@Ta<55℃(Tj<150℃)時(shí)最大值1.5A

九色溫度下的色差,2700K到6500K

注:

[1]截至2015年2月4日。東芝調查

[2]CCT=5000K,Ra=70@ IF=350mA,Ta=25℃

[3]Tj<150℃

[4]在硅(Si)片上生成氮化鎵的技術(shù)(GaN)

欲了解更多關(guān)于東芝白光LED的更多信息,請點(diǎn)擊此鏈接:

http://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/opto/white-led/wled-lineup.html

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